芯片竞争加剧：三星砸千亿在美建厂，死磕台积电

1 月 25 日消息，据华尔街日报报道，三星将投资 170 亿美元（折合约 1101 亿人民币）在美建芯片代工厂，其地址可能位于美国亚利桑那州、德克萨斯州或者纽约。这一举措可能与台积电之前在美国亚利桑那州投资建设新厂有关。

据称，三星为了追赶在先进制程工艺上领先的台积电，将跳过 4nm 工艺，直接建设可量产 3nm 芯片的晶圆厂。

知情人士分析，这可能是三星第一家在美国使用 EUV（极紫外辐射）光刻机的晶圆代工厂。

一、砸 170 亿美元，在美建 3nm 厂

据相关文件和熟悉韩国三星电子计划的人士透露，该公司正考虑投资至多 170 亿美元，在美国亚利桑那州、德克萨斯州或纽约建设一家晶圆代工厂，预计 2023 年投入使用。

据报道，三星去年十月就在美国德州奥斯汀购买了十万平方米的土地，并且在十二月开始申请将土地用途变更为工业开发用地。

目前三星在奥斯汀的晶圆代工厂主要生产基于 14nm、28nm 以及 32nm 工艺的芯片，工艺较为落后。

而且花旗银行的研究报告也曾显示目前奥斯汀的工厂产能较小，无法满足英特尔、高通和特斯拉等公司不断增加的芯片外包业务。

因此有分析人士认为，奥斯汀有较大希望成为三星新工厂的地址，员工数量预估为 1900 人。

▲三星目前在美国德克萨斯州奥斯汀的工厂

三星这项提议提出之时，美国正在考虑拨出数十亿美元资金来发展美国芯片制造业，减少对中国台湾地区、中国大陆地区和韩国的依赖。

今年 1 月通过的《国防授权法案》中（National Defense Authorization Act）也包括了新的芯片制造激励措施。

为了达成交易，三星需要时间与美国政府就潜在的激励措施，如税收优惠和财政补贴等方面进行谈判。

知情人士说，该公司已在华盛顿聘请人员代表交易进行游说，并准备在美国新政府成立后继续进行。

其中一位人士表示，税收优惠和补贴将减轻三星的财务负担，但三星即使在没有税收优惠和补贴的情况下也不会放弃继续在美发展。

在与台积电竞争时，三星在美建设工厂的举动可能会有助于这家韩国芯片制造商与美国的关键客户达成更好的协议。

目前三星已经在内存芯片市场占据主导地位，并试图在利润更丰厚的智能手机芯片与电脑处理器芯片市场扩大占有率，它和台积电的竞争也趋近于白热化。

如今虽然三星失去了苹果的订单，但却通过低价收获了高通、英伟达和联发科等新客户的订单，其中高通和联发科的芯片过去都由台积电独家供应。

三星也曾表示计划在 2030 年前向代工和芯片设计业务投资 1160 亿美元，旨在 2022 年推出采用 3nm 工艺的芯片，从而赶超台积电。

本次在美投资的 170 亿美元建厂很可能是这个宏伟计划的一部分。

不过想要击败行业霸主台积电并不容易，韩国投资银行 HMC Securities 的高级副总裁 Greg Roh 表示：“如果三星真的想在 2030 年前成为最大的芯片制造商，它需要在美国进行大量投资，才能赶上台积电。”

去年 5 月，台积电宣布在美国亚利桑那州建设的工厂将采用 5nm 制程技术生产芯片，规划月产能为 20000 片晶圆，将直接创造超过 1600 个高科技专业工作机会，预计为该建厂项目支出约 120 亿美元。此前台积电在美国华盛顿州卡玛斯市建有一座晶圆厂。

台积电在美 5nm 芯片厂计划在 2021 年开工，2024 年开始生产。如果外媒报道的三星赴美建 3nm 厂、计划 2023 年投用的消息为真，那么无论从技术先进性和投用时间来看，三星均有望在争取美国政府资源方面获得更多优势。

就目前而言，台积电在 5nm 芯片量产、确定美国亚利桑那州建厂计划等方面均领先了三星一步，三星还需要与台积电、SK 海力士和美光等公司争夺 EUV 光刻机订单，接下来的先进工艺竞争于三星而言，仍将是一场难打的硬仗。

如果三星在美建 3nm 晶圆厂的计划顺利推进，这家新厂有望成为三星第三家使用 EUV 光刻机的工厂，最早将于 2023 年开始运营。

目前在先进制程芯片代工的赛道上，台积电、三星两家巨头正进行愈发激烈的较量，并均展露出庞大的野心。相较之下，其他晶圆代工企业无论在技术储备还是资金实力方面，都很难与这两家公司抗衡。

显然在未来的先进制程之战中，三星与台积电的角逐，不仅将直接影响晶圆代工业的整体走向，而且将左右全球芯片产业的发展势头。

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