云南大学破冰硫化铂材料瓶颈，性能优于第三代半导体

IT之家 7 月 6 日消息 据科技日报报道，6 月 20 日云南大学材料与能源学院透露：该学院的杨鹏、万艳芬团队，突破了硫化铂材料瓶颈，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题。

云南大学副教授杨鹏介绍，石墨烯（碳基第三代半导体材料）作为典型的二维纳米材料，具备化学、光、电、机械等一系列优良的特性而得到广泛应用，但石墨烯存在零带隙、光吸收率低等缺点，限制其更广泛地应用。与此同时，类石墨烯材料应运而生。作为类石墨烯材料的典型代表，过渡金属硫族化合物不仅具备类似石墨烯的范德华力结合的层状结构，还拥有优异的光、电、磁等性能，可更好地弥补石墨烯的缺点，大大拓宽了半导体材料的实际应用范围。

当今二维材料共同面对的比如材料面积不大、不易转移等问题对半导体产业的发展形成了一定的影响。针对这些难题，云南大学材料与能源学院、云南省微纳材料与技术重点实验室杨鹏、万艳芬团队通过物理气相沉积和化学气相沉积相结合的方式，在合适的温度、压强等条件下，实现制备平方厘米级大面积少层、均匀的硫化铂材料，并表征了相关物理特性，为硫化铂在日后的投产、商用提供了便利。

值得一提的是，与台积电在 1 纳米测试中试用的半金属铋元素相比，硫化铂的成本更低、产出效率更高、实际性能更优，这让硫化铂成为用于延续摩尔定律的最佳候选材料之一。

据悉，这一研究成果为大面积电子器件的发展提供了新的思路与技术基础，并为未来拓展过渡金属硫族化合物的应用范围提供了重要参考。IT之家了解到，相关研究成果发表在国际著名材料学术刊物《现代材料物理学》上。

云南大学成功破冰硫化铂半导体材料，为国产集成电路、光电子等半导体产业开辟更宽广的应用器件开发提供了支持，有望成为我国在芯片代工领域中持平国外半导体技术的关键材料。

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