外资法人预计台积电 2nm 采用 GAAFET 路线，此前宣布 2025 年量产

IT之家 9 月 4 日消息，3nm 时代，三星选择采用环绕栅极 (GAAFET) 晶体管架构打造 3nm 芯片，而台积电则延续了鳍式场效应管（FinFET）的方案，预计台积电 3nm（N3）芯片将于今年下半年投产。

台湾《经济日报》称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。

根据台积电官网显示，台积电将持续与全球 16 家 EDA 厂商组成电子设计自动化联盟，其中就包括全球前 5 大 EDA 厂商。

美系外资法人指出，台积电在先进制程的 EDA 软件工具方面与美国厂商关系非常密切，其多数高端设备与 IP 不仅由美商供应，另外科磊（KLA）制程监控设备以及 ASML 的极紫外光 EUV 光刻机，也很难由日本、欧洲、甚至中国厂商取代。

外资法人表示，未来 5 年至 10 年，全球先进晶圆制程仍将以美系 EDA 软件（目前主要是新思科技、益华电脑以及西门子）和矽智财 IP 为核心，设计或制造芯片。

尽管 EDA 工具高度集中在美国企业名下，不过其他大厂在 EDA 方面并未缺席，例如联发科 5 月上旬与台大电资学院及至达科技合作，将 AI 人工智慧技术应用于 IC 设计，带动 EDA 智能化发展。

鸿海集团也同样正在积极布局半导体芯片设计，旗下工业富联在 7 月中旬透露他们正布局半导体锁定先进封装、测试、装备及材料、电子设计自动化软件、芯片设计等领域。

亚系外资法人指出，2020 年全球 EDA 市场规模约 115 亿美元，预估今年规模逼近 134 亿美元，尽管规模不大，却直接关系着全球超过 6000 亿美元规模的半导体产业、以及全球数十兆美元规模的数字经济发展。

对于芯片需求前景，台积电称其 2023 年的增长将由先进技术支撑，高性能计算（HPC）将成为长期增长的主要引擎。公司目前预计 2023 年产能利用率将保持良好。

在下一代芯片投产时间点方面，台积电强调 3nm（N3）芯片将于今年下半年投产，明年上半年贡献营收。IT之家提醒，台积电的 3nm 工艺有众多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，将会陆续在未来两三年内量产。

对于 2nm 芯片（N2），台积电重申其将于 2025 年实现量产。2nm 芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着台积电工艺正式进入 GAA 晶体管时代。其中，2nm 芯片相较于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

财报显示，台积电第二季度 5nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 21%（前季 20%），7nm 制程晶圆出货量占据公司营收的 30%（前季 30%），本季度 5nm 制程工艺营收继续提升，但还未超过 7nm 制程工艺带来的营收。此外，台积电先进制程 (7nm 及更先进制程) 营收总占比达到 51%，较前季的 50% 继续扩大。

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