格芯宣布收购瑞萨 CBRAM 低功耗存储器技术

IT之家 2 月 10 日消息，GlobalFoundries（GF，格芯）近日宣布，已经收购瑞萨电子公司（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。

这项交易进一步加强 GF 的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。具体而言，这项技术将使客户能够进一步区分其 SoC 设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

格芯表示，“致力于使我们技术组合差异化，成为客户今天和未来几十年的节能物联网应用的基础。通过收购这项创新的存储技术，GF 现在在加速开发 NVM 解决方案方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM 技术释放了性能和超低能耗的新范式，使从可穿戴设备到智能手机的各种应用，在特定的使用情况下，将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。”

IT之家了解到，CBRAM 的低功耗、高读 / 写速度、降低制造成本和对恶劣环境的耐受性，使其特别适用于消费、医疗和特定工业应用。2020 年，格芯 GF 与 Dialog 半导体公司（该公司于 2021 年被瑞萨公司收购）达成了一项许可协议，将其 CBRAM 技术作为一种嵌入式、NVM 选项提供。现在，CBRAM 正在该公司的 22FDX 平台上得到认证，并计划将其扩展到其他平台。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。