密歇根大学研发出新型固态存储器，可耐受 600°C 极端高温
12月11日0评
有望实现存储器无限次擦写，我国科学家开发“无疲劳铁电材料”登上 Science
06月12日0评
SK 海力士 CEO 郭鲁正：AI 存储芯片订单爆满，2025 年 HBM 产能基本售罄
05月02日0评
“鱼与熊掌兼得”，新型相变存储器问世：结合 DRAM 和 NAND 优点，生产耗电量降至常规方案的 1/15
04月25日0评
全球最新突破！液态金属存储器 FlexRAM 公布：清华大学开发，氧化还原模拟二进制
01月23日0评
读延迟缩短至 18ns，中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展
2023.07.190评
格芯宣布收购瑞萨 CBRAM 低功耗存储器技术
2023.02.100评
旺宏电子已量产 96 层 3D NAND Flash，2023 年底完成 192 层产品开发
2023.01.220评
TrendForce 集邦：供应商减产奏效，预估 2023 年第一季 NAND Flash 均价跌幅收敛至 10~15%
2023.01.070评
存储芯片持续降价，1TB 版三星 980 等存储器跌破 700 元
2022.09.260评
野村证券：存储器产业将迎来更严峻的硬着陆
2022.08.230评
大摩：下半年存储器价格将更快速下滑
2022.08.160评
宇瞻科技称 NAND Flash 市场供过于求，预计年底前都无法缓解
2022.07.300评
DDR4 跌价已逾半年，代理商做多亏多
2022.04.140评
三星在与美国存储器公司 Netlist 的专利诉讼中败诉
2022.02.180评
华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器
2022.01.200评
三星存内计算技术公布：全球首搭 MRAM，铺路下一代 AI 芯片
2022.01.180评
中国研究所成功研制国际最大容量抗辐射反熔丝 PROM 存储器
2022.01.100评
“杭州芯火壹号”HX001 芯片发布，超大窗口阻变随机存储器
2021.12.210评
纳芯半导体存储器生产 SMT 段全自动生产线试投产
2021.11.220评
