铠侠西数计划大规模生产 218 层 NAND 闪存，投资总额达 7290 亿日元

IT之家 2 月 6 日消息，日本经济产业省今日宣布将资助铠侠控股公司和西部数据公司大规模量产高端存储芯片。据介绍，这两家公司的投资总额为 7290 亿日元（IT之家备注：当前约 353.56 亿元人民币），政府将为其提供最高 2430 亿日元（当前约 117.86 亿元人民币）的资金扶持。

铠侠和西部数据计划在日本西部的四日市和北部的北上市大规模生产 218 层的 NAND 闪存。根据计划，四日市月产能可达 6 万片晶圆，同时北上每月可生产 2.5 万片晶圆，并于 2025 年 9 月开始出货；而下一代产品的生产线预计将会在 2029 年投入使用。

官方透露，这两家工厂的总投资额将达到约 4500 亿日元（当前约 218.25 亿元人民币），而且政府还将提供 1500 亿日元（当前约 72.75 亿元人民币）的补贴。

日本经产省认为，随着全球生成式人工智能和自动驾驶应用不断发展，第八代和第九代闪存芯片也将出现更高的需求。该部还认为，这两家工厂将对当地经济产生重大积极影响，预计将创造约 9000 个就业岗位。

实际上，铠侠和西部数据此前一直在政府的支持下建设四日市工厂的第六代闪存生产线。加上该项目，两家公司的投资总额将达到 7290 亿日元，其中政府提供最高 2430 亿日元。

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