Meta 展示 Project Aria 项目 AR 芯片原型：3D 设计，能效、性能双跃升

IT之家 2 月 23 日消息，据外媒 IEEE Spectrum 报道，Meta 近日在 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上展示了一款采用 3D 设计的 AR 芯片原型。该样品在能效和性能方面均有大幅提升。

Meta 此次展示的 AR 芯片原型来自其 AR 眼镜项目 Project Aria。AR 眼镜身形狭小，又需随身佩戴，因此对搭载的芯片在能效和性能方面均有高度要求。

Meta 所展示的原型芯片由上下两部分组成，每个部分尺寸为 4.1x3.7mm，下部包含 4 个机器学习计算内核与 1MB 本地内存，上部包含 3MB 内存。该芯片采用了台积电 SoIC 高级封装技术，将上下两个芯片面对面地进行混合键合（Hybrid Bonding，即铜对铜的直接连接）。

台积电 SoIC 高级封装技术可实现 2μm 的凸块间距。虽然 Meta 的原型芯片并未发挥 SoIC 技术的全部潜力，但两层芯片中间仍存在 33000 个信号连接和 600 万个电源连接；此外，在下部芯片底部，采用了 TSV 硅通孔实现电力输入和信号传出。

Meta 表示，3D 设计让芯片在 AR 眼镜的狭窄 PCB 空间中能以更少电力提供更多算力。该芯片上下部分间数据传递的功耗为 0.15pJ / Byte（IT之家注：即每字节 0.15*10^-12 焦耳，原文如是），与同一芯片上的数据传递功耗类似。

在手部跟踪方面，Meta 的研究成果显示，2D 芯片仅能跟踪一只手的动作，而使用 3D 芯片可同时跟踪两只手。3D 芯片方案不仅比前者能耗降低 40%，速度也快 40%。

此外在图像处理上，3D 芯片技术也带来了明显提升：2D 芯片仅能应付压缩图像，而 3D 版本可在相同功耗下处理 FHD 分辨率的图像数据。

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