AMD CTO 暗示 MI300 加速器支持 HBM3E 内存，改版型号有望带来

IT之家 2 月 27 日消息，在近日的 Arete 投资者网络研讨会电话会议上，AMD 首席技术官 Mark Papermaster 暗示 MI300 加速可支持 HBM3E 内存。

IT之家整理 Mark Papermaster 相关发言如下：

因此，我们为未来构建了架构：我们现在支持 8 层堆叠的 HBM，我们也为 12 层堆叠的 HBM 作了设计；我们推出的 MI300 搭载 HBM3 内存，我们也针对 HBM3E 进行了架构设计。

所以我们了解内存：我们拥有良好的关系，也拥有架构方面的专业知识，能够真正掌握所需的能力。

在交付和供应链方面，我们不仅与存储器供应商，还与台积电和其他基板供应商以及 OSAT 社区有着深厚的合作历史。

根据外媒 Tom's Hardware 掌握到的信息，AMD 在 Instinct MI300X 加速器上采用了单颗粒 24GB（12 层堆叠、单层 16Gb）的 HBM3 内存，而在 Instinct MI300A 数据中心 APU 上采用了单颗粒 16GB（8 层堆叠、单层 16Gb）的 HBM3 内存。Instinct MI300 系列均采用 8 个 HBM 堆栈，分别在 MI300X 和 MI300A 上实现 192/128GB 的总内存容量。

相较于 HBM3 内存，HBM3e 内存在速度上进一步提升：以 SK 海力士产品为例，其 HBM3 引脚传输速率达 6.4Gbps，而 HBM3e 在这一参数上提升至 9.2Gbps。同时换用 HBM3E 也可提升总内存大小：三星、海力士均推出了单颗 36GB 容量的 HBM3E 内存。

近日消息人士 @Kepler_L2 透露，AMD 将推出换用 HBM3e 的 MI300 改版，以低价与竞品英伟达 B100 竞争，Mark Papermaster 的发言从侧面为传言增添了真实性。

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