TrendForce:HBM3e 带动,2024 年底 HBM 投片量预估占先进制程比重 35%

2024-05-20 18:31IT之家 - 沛霖(实习)

IT之家 5 月 20 日消息,据 TrendForce 集邦咨询研究,三大原厂(IT之家备注:指美光、SK 海力士和三星电子)开始提高先进制程的投片,产能提升将集中在今年下半年,预计 1alpha nm(含)以上投片到年底将占 DRAM 总投片比重约 40%。以各家 TSV 产能来看,到年底 HBM 将占先进制程比重 35%,其余则用以生产 LPDDR5 (X) 与 DDR5 产品。

以 HBM 最新发展进度来看,今年 HBM3e 将是市场主流,集中在今年下半年出货。目前 SK 海力士依旧是主要供应商,与美光均采用 1beta nm 制程,两家现已正式出货给英伟达;三星则采用 1alpha nm 制程,预计今年二季度完成验证,于年中开始交付。

目前三大原厂的新厂规划如下:

  • 三星现有厂房 2024 年底产能大致满载,新厂房 P4L 规划于 2025 年完工,同时 Line15 厂区将进行制程转换,由 1Ynm 转换至 1beta nm 以上。

  • SK 海力士明年预计扩大 M16 产能,M15X 同样也规划于 2025 年完工,并于明年底量产。

  • 美光中国台湾厂区将于明年恢复至满载,后续产能扩张将以美国厂为主,Boise 厂区预计于 2025 年完工并陆续移机,计划 2026 年量产。

尽管三大原厂的新厂将于 2025 年完工,但部分厂房后续的量产时间尚未有明确规划,需依赖 2024 年的获利,才得以持续扩大规模。

除此之外,由于英伟达 GB200 将于 2025 年大量出货,其规格为 HBM3e 192/384GB,预计 HBM 产出将接近翻倍,紧接着三大原厂将开始研发 HBM4,如果投资没有明显扩大,因各家产能规划都以 HBM 优先,在产能排挤的效应下,DRAM 产品可能会供不应求

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