消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试

IT之家 5 月 24 日消息，据路透社报道，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试。三名知情人士表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。

报道称，这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片，该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。

三星在一份声明中表示，HBM 是一款定制内存产品，需要“根据客户需求进行优化流程”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。IT之家注意到，英伟达拒绝置评。

三位消息人士称，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对 HBM3 和 HBM3E 的测试。据两位知情人士透露，三星 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的失败测试结果于 4 月份公布。

目前尚不清楚这些问题是否可以很快解决，但三位消息人士表示，未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧，即三星可能会进一步落后于竞争对手 SK 海力士和美光。

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