消息称谷歌 Tensor G5 芯片基于台积电 3nm 制程，已成功进入流片阶段

IT之家 7 月 1 日消息，台媒《工商时报》近日报道称，预计用于谷歌明年旗舰智能手机的 Tensor G5 芯片将基于台积电 3nm 制程，已成功进入流片阶段。

流片是芯片正式量产前的关键阶段，用小规模的芯片试产检验芯片设计是否正确。对于首次完全自研手机 SoC 的谷歌而言，如果顺利通过流片，那离 Tensor G5 的成功就近了一大步。

Tensor G5 的全自研，将意味着谷歌可完成对 Pixel 设备从芯片到设备整机再到操作系统乃至应用程序的全方位掌控，有助于实现更深度的软硬件整合。

最终，谷歌能更快将 AI 应用部署在自家设备上，打造差异化产品，从而在竞争激烈的智能手机市场中脱颖而出。

根据IT之家此前报道，谷歌 Tensor G5 芯片代号 Laguna Beach“拉古纳海滩”，将通过台积电 InFo_PoP 晶圆级扇出封装技术实现 SoC 和 DRAM 的堆叠，支持 16GB 以上内存。

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