三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

2024-07-03 10:03IT之家 - 故渊

IT之家 7 月 3 日消息,根据韩媒 The Elec 报道,三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”(metal wiring)中首次尝试使用钼(Mo)。

IT之家注:半导体制造过程中八大工艺分别为:晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体(CPU、GPU 等),可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机,此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外,SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨(WF6)不同,钼前驱体(molybdenum precursor)是固态,必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态,而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年 5 月报道,已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产,位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入 / 输出速度提高 33%,最高可达每秒 3.2 千兆位(Gbps)。除了这个新接口,三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

文章价值:
人打分
有价值还可以无价值
置顶评论
    热门评论
      文章发布时间太久,仅显示热门评论
      全部评论
      一大波评论正在路上
        取消发送
        软媒旗下人气应用

        如点击保存海报无效,请长按图片进行保存分享