消息称美光 6 月遭遇 HBM3E 内存封装缺陷，影响向英伟达 H200 供货

IT之家 7 月 12 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道指，美光的 HBM3E 内存在上 (6) 月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。

美光于 2024 年 2 月 26 日宣布量产基于 1β 工艺的 HBM3E 内存，并从二季度开始向英伟达供货，用于 H200 AI GPU。

此外据台媒《工商时报》消息，英伟达 H200 芯片于二季度下旬进入量产阶段，预计三季度开始大规模交付。

韩媒表示，由于问题出现在 2.5D 封装层面而非 HBM 产品本身，美光在此次缺陷中应承担的责任并不大。

有分析认为，美光 HBM3E 内存出现问题是台积电在封装过程中使用了错误的材料所致。

美光在 2024 财年第三财季（截至今年 5 月 30 日）财报中表示，HBM3E 内存已在上一财季为美光创造了超 1 亿美元（IT之家备注：当前约 7.27 亿元人民币）的收入，未来相关收入还会进一步增加。

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