英飞凌实现全球首个 300mm 功率氮化镓 GaN 晶圆技术

2024-09-11 18:16IT之家 - 汪淼

IT之家 9 月 11 日消息,英飞凌今日宣布成功开发出全球首个 300mm(12 英寸)功率 GaN(氮化镓)晶圆技术,并率先在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。

与 200 mm 晶圆相比,300mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进、效率更高,更大的晶圆直径可以提供 2.3 倍的芯片

GaN 基功率半导体正迅速应用于工业、汽车、消费、计算和通信应用,包括 AI 系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。此外,300mm 晶圆通过可扩展性确保了上级客户供应稳定性。

英飞凌科技股份公司 CEO Jochen Hanebeck 在公告中称:“这项技术突破将改变行业游戏规则,使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后,我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电力系统的领导者,英飞凌掌握了所有三种相关材料:硅、碳化硅和氮化镓。”

IT之家从英飞凌公告中获悉,英飞凌在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率晶圆厂中,利用现有的 300mm 硅生产线,成功地在集成中试生产线上制造出 300mm GaN 晶圆,并利用其在现有 300mm 硅和 200mm GaN 生产线上的成熟能力。英飞凌表示将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。

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