三星电子宣布其首款 1Tb QLC 第九代 V-NAND 正式开始量产

2024-09-12 07:31IT之家 - 问舟

IT之家 9 月 12 日消息,三星电子今日宣布,三星首款 1 太比特四层单元(QLC)第九代 V-NAND 已正式开始量产,而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。

据介绍,三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破,IT之家汇总如下:

  • 通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching),能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 TCL 第九代 V-NAND 中积累的技术经验,优化了存储单元面积及外围电路,位密度比上一代 QLC V-NAND 提升约 86%。

  • 预设模具(Designed Mold)技术,能够调整控制存储单元的字线(WL)间距,确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致(V-NAND 层数越多,存储单元特性越重要);采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%,增强可靠性。

  • 预测程序(Predictive Program)技术,能够预测并控制存储单元的状态变化,尽可能减少不必要的操作,让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入性能翻倍,I/O 速度提升 60%。

  • 低功耗设计(Low-Power Design)技术,使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压,能够仅感测必要的位线(BL),从而尽可能减少功耗。

此外,三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围,从品牌消费类产品开始,扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器 SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

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