中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破

2025-03-26 17:38IT之家 - 浩渺

IT之家 3 月 26 日消息,近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”)宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度,ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破,反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A(亚埃级)。

据介绍,这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一,是人类头发丝平均直径 100 微米的 500 万分之一

在 200 片硅片的重复性测试中,氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆,在左右两个反应台上各 100 片的平均刻蚀速度相差,各为每分钟 0.9 埃,1.5 埃和 1.0 埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别(≤ 0.09%),远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别(≤ 0.9%)。

▲ 中微公司 ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star®

中微公司透露,CCP 的双台机 Primo D-RIE® 和 Primo AD-RIE® 的加工精度,两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和 Primo Twin-Star® 相同的水平。在两个反应台各轮流加工 1000 片的重复性测试中,两个反应台的平均刻蚀速度相差,只有每分钟9埃,小于 1.0 纳米。

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