中微公司发布其首款晶圆边缘刻蚀设备 Primo Halona

2025-03-27 10:21IT之家 - 问舟

IT之家 3 月 27 日消息,在 SEMICON China 2025 展会期间,中微半导体设备(上海)股份有限公司(IT之家以下简称“中微公司”)宣布其自主研发的 12 英寸晶圆边缘刻蚀设备 Primo Halona 正式发布。

中微公司介绍称,此款 12 英寸边缘刻蚀设备 Primo Halona 采用其特色的双反应台设计,可灵活配置最多三个双反应台的反应腔,且每个反应腔均能同时加工两片晶圆,在保证较低生产成本的同时,满足晶圆边缘刻蚀的量产需求,从而实现更高的产出密度,提升生产效率。

此外,设备腔体均搭载 Quadra-arm 机械臂,精准灵活,腔体内部采用抗腐蚀材料设计,可抵抗卤素气体腐蚀,为设备的稳定性与耐久性提供保证。

中微公司表示,Primo Halona 配备独特的自对准安装设计方案,不仅可提高上下极板的对中精度和平行度,还可有效减少因校准安装带来的停机维护时间,从而帮助客户优化产能,精益生产。

在设备智能化方面,Primo Halona 提供可选装的集成量测模块,客户通过该量测模板可实现本地实时膜厚量测,一键式实现晶圆传送的补偿校准,实现更好的产品维护性,大大提升后期维护效率。

近日,中微公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度,ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star 又取得新的突破,反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A(亚埃级)。

据介绍,这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一,是人类头发丝平均直径 100 微米的 500 万分之一。

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