意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

IT之家 4 月 2 日消息，意法半导体与英诺赛科在 3 月 31 日共同宣布已签署一项氮化镓 (GaN) 技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。

根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。

协议还约定，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆，实现产能互补。

两家企业的共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。

意法半导体 APMS 总裁 Marco Cassis 表示：

意法半导体与英诺赛科均为 IDM（IT之家注：垂直整合器件制造商），此次合作将最大化发挥 IDM 这一模式的优势，为全球客户创造价值。

一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合；另一方面，意法半导体也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。

英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇表示：

氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现 8 英寸（200mm）硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超 10 亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场。

我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。