意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
04月02日0评
美国 EPC 专利被判决无效，国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获 ITC 案件终极胜利
03月19日0评
国内氮化镓半导体第一股诞生：英诺赛科成功上市，全球市占率 42.4% 排名第一
2024.12.310评
英飞凌扩大对国内氮化镓 GaN 企业英诺赛科专利诉讼，英诺赛科称有信心胜诉
2024.08.050评
GaN 主导权之争白热化，美商 EPC 起诉国产龙头英诺赛科
2023.05.270评
