IEDM 前沿研究成果发布！长鑫存储双技术突破解锁 DRAM 增长新周期

12 月 6 日，国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，简称 IEDM）于美国旧金山正式举办。在本届大会上，来自中国机构的论文共计 101 篇入选，整体表现亮眼。其中，北京大学凭借 21 篇的入选数量，连续五年位居全球高校首位。而在产业界，国内 DRAM 领域的龙头企业长鑫存储同样表现突出，其两项重大技术成果获大会收录，入选论文数量在国内企业中位居第一。

IEDM 2025：中国半导体力量闪耀全球顶级学术舞台

IEDM 创立于 1955 年，是半导体器件领域享有“奥林匹克盛会”盛誉的国际顶尖学术会议。该会议汇聚了全球学术界与产业界的最新研究成果，议题覆盖 CMOS 技术、先进存储、传感器、功率器件等关键领域。

IEDM2025 的主题是“FET 100 年：塑造设备创新的未来”。业界普遍认为，在当前技术迭代加速、AI 发展催生海量存储需求的时代背景下，IEDM 2025 不仅展现了学术前沿，更成为洞察未来存储技术演进与产业格局变化的重要窗口。

本届 IEDM 大会，长鑫存储在 3D FeRAM 与新型多层堆叠 DRAM 领域实现了双项突破。长鑫存储首次实现单片集成的堆叠式铁电存储（3D FeRAM），提出两层水平堆叠的 1T1C 三维架构，配备双栅极多晶硅选择晶体管，展现出优异的性能与耐久性，为低功耗非易失性存储奠定基础。

此外，长鑫存储还展示了全球首个 BEOL 集成的多层 DRAM 架构，基于 IGZO 沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能 DRAM 的发展开辟新路径。

长鑫存储以创新产品定义存储市场新格局

技术研发的积累，正在成为驱动产品快速迭代与推动市场持续拓展的核心引擎。当前，长鑫已构建涵盖 DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X 的全系列产品矩阵。今年 10 月，长鑫推出 LPDDR5X 系列产品，提供 12Gb 和 16Gb 两种单颗粒容量，最高速率可达 10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代 LPDDR5 提升了 66%，同时可以兼容 LPDDR5，功耗则比 LPDDR5 降低了 30%。据了解，长鑫正在研发 0.58mm 超薄 LPDDR5X 芯片，量产后有望成为全球最薄的 LPDDR5X 产品。

标准存储领域，长鑫存储于今年 11 月正式发布其最新 DDR5 产品系列：最高速率达 8000Mbps，最高颗粒容量 24Gb，均达到国际领先水平。当前市场基准中，6400 Mbps 代表服务器与高端 PC 的主流性能层级，而 8000 Mbps 则已迈入国际顶级性能梯队。

在内存容量上，长鑫存储在标准 16Gb 颗粒以外，重点推出 24Gb 大容量颗粒，对于大规模数据中心具有显著优势，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。

此外，长鑫基于其 DDR5 产品推出的 UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM 七大模组，实现了对服务器、工作站到个人电脑的全场景完整覆盖，展现了与国际领先厂商同台竞技的实力。

据美国半导体行业协会（SIA）最新数据，2025 年 10 月全球半导体销售额同比增长 33%，达 713 亿美元，其中 DRAM 销售额同比飙升 90%，行业景气度持续攀升。与此同时，长鑫存储正积极推进上市进程。行业人士指出，亮眼的行业数据为长鑫 IPO 提供了极具说服力的宏观背景，有望显著增强投资者对其未来成长空间与盈利潜力的预期与信心。

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