据了解,相比于之前推出的48层3D NAND芯片,72层芯片将单元数量提升了1.5倍,生产效率增加30%。同时,由于加入了高速电路设计,72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍,读写性能增20%。
海力士表示,72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产,以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求。
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