之前IT之家曾报道,东芝和美光已宣布将推出新一代的QLC NAND Flash,基本上,QLC NAND采用每比特4位的写入方式,每个单元添加更多bits也会影响NAND单元的寿命,因此会减少可写入的次数。就像TLC一样,很多新技术如错误纠正机制,可有助增加各个SSD的使用寿命,同时QLC亦将可提供1000 P / E Cycle写入寿命。
外媒估计,这款新固态硬盘的将命名为Intel 660p,采用PCIe 3.0 x2接口且容量高达2TB,但是定位低端的M.2 SSD,读取速度最高1800 MB / s。至于价格方面,现在还没有消息,发布时间应该会在今年下半年。
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