全新V-NAND相比64层NAND Flash在性能上有所增强,主要是因为工作电压已从1.8V降至1.2V,同时新的V-NAND迄今为止的数据写入速度最快,达到500 μs,比上一代写入速度提高了约30%,而对读取讯号的反应时间则显示减少到50μs,新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命,并降低从桌面及数据中心系统的整体功耗。
三星表示,率先会打造单模256Gb容量的V-NAND,与目前大多数三星消费类SSD使用的相同尺寸,预计会在移动及SSD市场中得到广泛应用,未来将会推出基于第五代V-NAND的1Tb及QLC产品。
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