▲图自ANANDTECH
三星的256 GB DDR4寄存式DIMM带有ECC,带有36个内存包,每个包含8 GB(64 Gbit)容量,以及IDT的4RCD0229K寄存器芯片(用于缓冲地址和命令信号,并增加内存通道支持的等级数)。这些封装基于四个单芯片16 Gb元件,这些元件使用硅通孔(TSV)互连。在架构上,256 GB模块是八进制的,因为它具有两个物理等级和四个逻辑等级。
在这里有一点技术说明,指出这些新的DIMM是寄存DIMM(RDIMM)而不是负载减少的DIMM(LRDIMM)是非常有趣的。通常,LRDIMM是高容量配置所必需的,这些样式的DIMM依赖于额外的缓冲,这会对RDIMM造成功耗和延迟的影响。相反,因为最新的服务器平台(AMD EPYC,英特尔至强等)已经将其内存需求转移到本地支持两个插槽中支持八进制模块 - 以每个通道总共限制为两个插槽为代价 - LRDIMM没有必要最大化这些新服务器的内存容量。因此,可以使用更简单的RDIMM。
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