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英特尔 3D 封装技术密度再提升 10 倍,目标 2030 年打造出万亿晶体管芯片

2022-12-05 18:22IT之家(汪淼)25评
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IT之家 12 月 5 日消息,在近日的 IEDM 2022(2022 IEEE 国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,以在未来十年内持续推进摩尔定律,最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。

据介绍,英特尔的研究人员展示了以下研究成果:3D 封装技术的新进展,可将密度再提升 10 倍;超越 RibbonFET,用于 2D 晶体管微缩的新材料,包括仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子计算的新进展

英特尔通过下一代 3D 封装技术实现准单片芯片:

英特尔探索通过超薄“2D”材料,在单个芯片上集成更多晶体管:

为了实现更高性能的计算,英特尔带来了能效和存储的新可能:

英特尔制造用于量子计算的性能更强的量子位:

英特尔的研究人员加深了对各种界面缺陷(interface defects) 的认识,这些缺陷可能会成为影响量子数据的环境干扰(environmental disturbances),从而找到了储存量子信息的更好方法。 

IT之家了解到,为纪念晶体管诞生 75 周年,英特尔执行副总裁兼技术开发总经理 Ann Kelleher 博士将于 IEDM 2022 主持一场全体会议。届时,Kelleher 将概述半导体行业持续创新的路径,即围绕系统级战略联合整个生态系统,以满足世界日益增长的计算需求并以更有效的方式实现创新,从而以摩尔定律的步伐不断前进。此次会议将于太平洋标准时间 12 月 5 日周一上午 9 点 45 分(北京时间 12 月 6 日周二凌晨 1 点 45 分)开始,主题为“庆祝晶体管诞生 75 周年!摩尔定律创新的演进”。

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