IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。
集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。
根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是终端 AI 的崛起，包括骁龙 8 Gen 3、天玑 9300 和 Exynos 2400 等各种芯片组在内，都加码 AI 元素。
而要在本地运行这些 AI 元素，必然离不开更大的内存空间。IT之家翻译麦格里（Macquarie）本月发布的报告部分内容如下：
目前典型的智能手机配备 8GB 内存
运行图像生成功能的终端侧 AI，手机大约需要 12GB 内存
具备数字 AI 助手功能的设备，大约需要 20GB 内存
未来消费者如果想要在手机终端上本地运行 AI 模型，大容量内存是必不可少的。目前国内手机厂商不断推高手机内存容量，包括小米 Redmi K60 至尊版、一加 Ace 2 Pro、realme 真我 GT5 在内的部分手机已提供 24GB 版本。
行业专家预计，在价格下降和公司收益率持续提高的推动下，DDR5 市场的需求将大幅增长。
DDR5 作为一款高附加值的 DRAM，继续受到各大厂商的青睐。美光最近宣布推出基于 1β 技术的 DDR5 内存，速度高达 7200 MT/s，标志着向数据中心和 PC 市场的转变。
最近，美光还推出了采用 128Gb 芯片的 5GB DDR32 RDIMM 内存。该系列拥有高达 8000 MT/s 的速度，适用于服务器和工作站。这些系列采用美光的 1β 技术，可将能效提高 24%，延迟减少 16%。此外，美光计划在 2024 年推出速度为 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 的型号，未来即将推出的型号速度为 8000 MT/s。
三星方面，据悉将扩大 DDR5 生产线。鉴于 DDR5 的高价值及其在 PC 和服务器市场的采用，今年被认为是“大规模采用 DDR5 的一年”。
与 DDR5 类似，HBM 作为高附加值的 DRAM 今年备受关注。在人工智能趋势的推动下，HBM 市场的需求激增，各家供应商不断扩大其产能。
最新报道称三星电子耗资 105 亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大 HBM 产能。三星电子还计划再投资 7000 亿至 1 万亿韩元，用于新建新的封装线。
美光也在积极筹备 HBM 生产，于 11 月 6 日在台中开设了新工厂。美光表示，这个新设施将集成先进的测试和封装功能，并将致力大规模生产 HBM3E 以及其他产品。此次扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。
美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 透露，该公司计划在 2024 年初开始大量出货 HBM3E。美光的 HBM3E 技术目前正在接受 NVIDIA 的认证。最初的 HBM3E 产品将采用 8-Hi 堆栈设计，容量为 24GB，带宽超过 1.2TB / s。
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