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Hafnia 铁电成突破 1000 层关键,三星 6 月将演示全新 QLC 3D VNAND 技术

2024-05-11 19:21IT之家(故渊)6评

IT之家 5 月 11 日消息,三星高管于 2023 年 6 月预测,V-NAND 在 2030 年将叠加到 1000 层以上,而最新消息称铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)将成为这项成就的关键。

三星高管 Giwuk Kim 将于今年 6 月发表技术演讲,课题为“在推动 1000 层低电压和 QLC 3D VNAND 进程中,深入分析 Hafnia 铁电的关键推动因素,以及实验演示和建模”。

在摘要部分中写到,在金属带工程栅极中间层(BE-G.IL)、铁电(FE)开关、沟道中间层(Ch.IL)和硅(MIFIS) FeFET 架构中,使用 FE 开关相互作用,来显著提高性能,表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

IT之家此前报道,三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片,采用三重堆叠技术,达到 430 层,进一步提高 NAND 的密度,并巩固和扩大其领先优势。

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