苹果迎接 AI 浪潮,酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND:存储上限至 2TB
07月25日0评
TrendForce:HBM、QLC 崛起,助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成
07月22日0评
消息称铠侠 7 月内启动 1Tb 版 218 层 BiCS8 3D NAND 闪存量产
07月04日0评
业内最高容量,铠侠 2Tb QLC 闪存样品出货:位密度较第五代提高 2.3 倍
07月03日0评
业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产
三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术
TrendForce:预估三季度 NAND 闪存产品合约价涨幅收窄至 5~10%
06月28日0评
消息称三星 DRAM 及 NAND 计划 Q3 涨价 15-20%
06月26日0评
消息称铠侠为期 20 月 NAND 闪存减产结束,现有工厂开工率均已恢复至 100%
06月17日0评
Omdia:2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%,为去年 3.6 倍
06月14日0评
业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片
威刚董事长陈立白:下半年 DDR4 内存有望涨价 30%
05月31日0评
TrendForce:均价上涨,2024 年一季度 NAND Flash 产业营收环比增长 28.1%
05月29日0评
美光:已基本完成 2025 年 HBM 内存供应谈判,相关订单价值数十亿美元
05月22日0评
铠侠 2023 财年营收 10766 亿日元,同比下滑 16%,连续两年亏损
05月16日0评
Hafnia 铁电成突破 1000 层关键,三星 6 月将演示全新 QLC 3D VNAND 技术
05月11日0评
AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度 DRAM 内存、NAND 闪存合约价涨幅预测
05月07日0评
消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备,有望简化闪存生产
三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产
04月23日0评
消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成
04月22日0评