消息称三星电子探索逻辑芯片混合键合,最早 2026 年推出 3D 移动处理器
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消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化,整体产线利用率达九成
04月22日0评
消息称三星电子在硅谷开设先进处理器实验室,聚焦 RISC-V IP 开发
04月19日0评
三星计划将 TC-NCF 用于 16 层 HBM4 内存生产,将推整体 HBM 定制服务
消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂,最终放弃
04月17日0评
三星推出业界最快 10.7Gbps LPDDR5X 内存,实现 32GB 单封装容量
三星电子联席 CEO 庆桂显访问多家台企,加强 AI 内存、服务器合作
04月16日0评
消息称三星电子本季度 NAND 闪存产能环比提升 30%,年内维持约 50% 规模上限
三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
04月15日0评
消息称三星并购关键人物 Ahn Joonghyun 回归,有望启动新一轮大型海外并购
消息称三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存
04月12日0评
消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产,满足端侧 AI 需求
04月09日0评
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
消息称三星与韩国互联网巨头 NAVER 启动 Mach-2 人工智能芯片联合研发
04月08日0评
三星电子获内存专利诉讼有利判决,无需向 Netlist 支付 3.03 亿美元赔偿
04月07日0评
三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证,有望在 HBM4 内存大面积应用
三星得州芯片工厂投资额增至约 440 亿美元
04月05日0评
Omdia:三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平
04月03日0评
底薪即为普通员工均薪 3.57 倍,三星以优厚待遇为 AGI 计算实验室延揽人才
04月02日0评
三星电子去年股东回报率达 77.6%,远超微软和 Meta