消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试，有望打入 ASIC 供应链
06月17日0评
SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
06月16日0评
AMD 确认美光、三星电子为 Instinct MI350 系列供应 HBM3E 内存
06月13日0评
从 HBM4 直到 HBM8，韩国 KAIST Teralab 介绍 HBM 内存长期路线图
美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术
06月11日0评
美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存
06月10日0评
消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈超 600 美元
SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存
制造商将重心转向 DDR5 等新技术，DDR4 内存价格不跌反涨 50%
06月07日0评
美光率先推出第六代 10nm 级 LPDDR5x DRAM 内存，速度可达 10.7Gbps
06月04日0评
SK 海力士今年一季度首获 TrendForce 季度 DRAM 产业营收占比第一
06月03日0评
南亚科技加速布局 AI DRAM，定制内存项目有望 2026 年取得验证
消息称 SK 海力士计划 10 月量产 12Hi HBM4 内存，同步英伟达 "Rubin" GPU 节奏
05月28日0评
消息称美光与力成达成独家协议，外包成熟 HBM2 封装以专注先进 HBM 内存制造
05月26日0评
HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入，产品最快明年亮相
05月08日0评
DDR5 内存超频纪录突破 12800MT/s，达现行 JEDEC 频率 2 倍以上！
05月06日0评
消息称苹果 iPhone 18 系列手机首发 6 通道 LPDDR5X 内存
04月29日0评
七彩虹推出战斧 DDR5 6000 C28 等内存套条：黑白双色可选，48GB 套条 1049 元
消息称三星电子已规划在 1d nm 传统结构内存后导入 VCT DRAM 技术
04月28日0评
