消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙
11月14日0评
瞄准 2025 年量产，消息称三星正为微软、Meta 定制 HBM4 内存
11月12日0评
消息称三星平泽 P4 厂一期改为混合产线：每月可产 3~4 万片 DRAM 内存晶圆
11月08日0评
12196 MT/s，微星、金士顿创下 DDR5 内存超频新纪录
11月05日0评
SK 海力士介绍全球首款 16-High HBM3E 内存，明年初出样
11月04日0评
三星电子准备 HBM3E 内存改进款：针对多个主要客户下代 AI GPU 优化
11月01日0评
英特尔确认未来数代处理器不会采用 Lunar Lake 同款 MoP 封装级内存方案
首发 849 元 → 今日 479 元：英睿达 Pro 系列 DDR5 6000 内存 32G 套装蹲点抢
10月31日0评
TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺
10月30日0评
消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构
10月29日0评
小米王腾：未来旗舰机应该都会取消 8GB RAM，核心是端侧 AI 大模型占用更多
10月28日0评
突破 DDR5-12000！4 位超频好手缔造佳绩，解锁内存超频里程碑
10月26日0评
金士顿 Renegade DDR5 CUDIMM 内存成功超频至 12108MT/s，问鼎 HWBOT 全球第一
10月25日0评
面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存
10月24日0评
消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存
10月22日0评
消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计
10月17日0评
迷你主机可用，美光英睿达 32G DDR5-5600 笔记本内存 505 元新低
10月15日0评
TrendForce：2024 年第四季度 DRAM 价格涨幅放缓，需求主要靠 AI 服务器维持
10月12日0评
十铨推出 T-Force Xtreem CKD DDR5 游戏内存，最高超频至 9600 MHz
10月11日0评
消息称笔记本电脑暂不会配备 10.7Gbps LPDDR5X 高速内存
10月10日0评
