内存

三星电子可持续发展报告确认其加入 SOCAMM 内存模块战场

昨日 17:200评

SK 海力士宣称英特尔未来 AI 芯片 "Jaguar Shores" 支持 HBM4 内存

昨日 14:530评

消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移

昨日 09:560评

SK 海力士 HBM4 内存 16Hi 48GB 堆栈亮相慧与 HPE Discover 2025 活动

06月27日0评

消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付

06月27日0评

芝奇宣布 256GB（64×4）CL36 及 128GB CL32 内存全球首卖

06月24日0评

消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用

06月24日0评

DRAM 史上最大代际倒挂：停产预期下 DDR4 现货均价两倍于 DDR5

06月24日0评

Counterpoint：预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%，年末市占有望达 8%

06月20日0评

消息称三星改进版 HBM3E 8Hi 内存通过博通测试，有望打入 ASIC 供应链

06月17日0评

SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购

06月16日0评

AMD 确认美光、三星电子为 Instinct MI350 系列供应 HBM3E 内存

06月13日0评

从 HBM4 直到 HBM8，韩国 KAIST Teralab 介绍 HBM 内存长期路线图

06月13日0评

美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知

06月13日0评

消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术

06月11日0评

美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存

06月10日0评

消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈超 600 美元

06月10日0评

SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存

06月10日0评

制造商将重心转向 DDR5 等新技术，DDR4 内存价格不跌反涨 50%

06月07日0评

美光率先推出第六代 10nm 级 LPDDR5x DRAM 内存，速度可达 10.7Gbps

06月04日0评