消息称英伟达 2026Q1 完成 Rubin GPU 所需 HBM4 12Hi 内存最终质量测试
08月26日0评
科学家实现沉积工艺突破，成功开发 120 层高密度 3D DRAM 结构
宜鼎展示 DDR5-12800 MRDIMM 内存样品，规划 32GB、64GB 和 128GB 三种型号
08月23日0评
消息称英伟达拟自研 HBM 内存 Base Die：3nm 工艺，2027H2 试产
08月19日0评
长期谈判后，消息称三星电子与英伟达终谈妥 HBM3E 12Hi 内存供应交易
08月15日0评
SK 海力士：今年上半年成功开发 1cnm 24Gb LPDDR5x 内存，最快可达 10.7Gbps
消息称三星 Galaxy S25 系列手机本家内存搭载率增至 60%，反超美光
08月14日0评
紫光国芯云彣推出南亚 DRAM DDR5 内存条，单条 16GB 参数 6000CL36
08月12日0评
美光首席商务官：HBM4E 时代定制 HBM 内存落地，推动形成“特供”格局
TrendForce：DDR4、LPDDR4 供给收敛，今年下半年或出现结构性缺货及大幅涨价
08月11日0评
SK 海力士：AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%，定制 HBM 是趋势
将 CXL 内存扩展带入消费端，Wolley 展出 LPDDR5x CXL 内存模块
08月08日0评
X-HBM 位宽达 HBM4 内存 16 倍，NEO Semiconductor 公布新存储架构
08月06日0评
16 层板 PCB：芝奇推 T5 Neo DDR5-6400 512GB（64GBx8）超频内存套装
07月24日0评
SK 海力士年内供应 24Gb GDDR7，为英伟达 RTX 50 SUPER 显卡铺平道路
消息称 DDR6 内存单通道位宽亦提升 50%，有望 2027 年启动大规模导入
07月23日0评
三星电子副总裁：现有热压缩键合无法满足 20 层堆叠 HBM 内存生产需求
07月22日0评
消息称今年底旗舰安卓手机面临内存成本压力，原价理论可以维持 3999-4299 元
07月18日0评
TrendForce：LPDDR4x 减产潮推动中低端智能手机内存代际更新
07月17日0评
