集邦预计：英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导，若调高速度要求有利于三星
09月19日0评
新型 Phoenix 攻击曝光：绕过 DDR5 内存防护，2 分钟拿下 root 权限
09月16日0评
日本经济产业省宣布向美光广岛 DRAM 内存工厂授予最多 5360 亿日元补贴
09月14日0评
消息称美光全面暂停 DDR4/5 与 LPDDR4/5 内存报价，后续可能调涨 2~3 成
技嘉推出 AI TOP CXL R5X4 扩展卡，可为工作站系统添加至多 512GB 内存
09月05日0评
消息称 SK 海力士撤回 DDR4 内存今年停产计划，计划提升无锡产线产能
09月03日0评
集邦：DRAM 内存产业 2025Q2 营收环比增长 17.1% 至 316.3 亿美元
09月02日0评
澜起科技推出 CXL 3.1 内存扩展控制器 (MXC) ，芯片进入客户送样阶段
09月01日0评
消息称英伟达 2026Q1 完成 Rubin GPU 所需 HBM4 12Hi 内存最终质量测试
08月26日0评
科学家实现沉积工艺突破，成功开发 120 层高密度 3D DRAM 结构
宜鼎展示 DDR5-12800 MRDIMM 内存样品，规划 32GB、64GB 和 128GB 三种型号
08月23日0评
消息称英伟达拟自研 HBM 内存 Base Die：3nm 工艺，2027H2 试产
08月19日0评
长期谈判后，消息称三星电子与英伟达终谈妥 HBM3E 12Hi 内存供应交易
08月15日0评
SK 海力士：今年上半年成功开发 1cnm 24Gb LPDDR5x 内存，最快可达 10.7Gbps
消息称三星 Galaxy S25 系列手机本家内存搭载率增至 60%，反超美光
08月14日0评
紫光国芯云彣推出南亚 DRAM DDR5 内存条，单条 16GB 参数 6000CL36
08月12日0评
美光首席商务官：HBM4E 时代定制 HBM 内存落地，推动形成“特供”格局
TrendForce：DDR4、LPDDR4 供给收敛，今年下半年或出现结构性缺货及大幅涨价
08月11日0评
SK 海力士：AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%，定制 HBM 是趋势
将 CXL 内存扩展带入消费端，Wolley 展出 LPDDR5x CXL 内存模块
08月08日0评
