双方 HBM 合作首度公开,三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
09月06日0评
美光确认启动“生产可用”版 12 层堆叠 HBM3E 36GB 内存交付
三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存,2026 年推出 HBM4E
09月05日0评
南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成,正规划 EUV 工艺
三星电子:客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方
09月04日0评
SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术
消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳,影响 Galaxy S25 系列手机开发
消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化
09月03日0评
SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
08月29日0评
TrendForce:消费电子需求恢复缓慢,预计下半年存储器价格将面临压力
SK 海力士副总裁:存储产品在 AI 时代正从简单组件转型为解决方案
08月28日0评
环境友好型产品,十铨推出 ECO 系列 DDR5 内存条和移动固态硬盘
08月27日0评
仍基于 1b nm DRAM,消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
08月26日0评
赔偿 7.535 亿欧元,英飞凌就昔日内存巨头奇梦达破产达成最终和解
SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向,将开发 20~30 倍性能产品
08月20日0评
消息称三星电子今年底启动 HBM4 内存流片,为明年底量产做准备
08月19日0评
微星介绍 CAMM2 DDR5 内存对台式电脑的优势:速度更快、延迟更低、设计更新颖
08月16日0评
TrendForce:2024 年第二季内存产业营收 229 亿美元,环比增 20.4%,同比翻倍
08月15日0评
台湾地区本月 13 日遭雷雨引发停电,DRAM 企业南亚科技损失 3~5 亿新台币
消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产,目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%
08月14日0评