新存科技公布国产最大容量新型 3D 存储器芯片参数：最高 IO 速度 3200MT/s
10月08日0评
日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本
2023.09.050评
华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器
2022.01.200评
