日本研究团队制造新型碲化铌材料，有望作为相变存储器原材料降低生产成本

IT之家 9 月 5 日消息，日本东北大学的研究人员日前利用溅射技术制造出了碲化铌（NbTe4）材料，据悉这种材料具有“卓越存储和热性能”，有望应用于相变存储器制造中，从而为业界提供更多原材料选择，降低相关成本，目前论文已经发布归档在 onlinelibrary 平台上。

IT之家经过查询得知，相变存储器（PCM）是一种“应用相变材料作为储存介质”的存储器技术，相对于当下的闪存，相变存储器通过相变物质的固态、液态转变来保存数据（闪存的写入速度受限于电荷移动速度），因此其读写速度更快、存储密度更高、功耗更低、并且尺寸可以做到更小，但制造相变存储器介质的成本过高，目前相变存储器还停留在企业级阶段，尚未下放到家庭市场。

研究人员使用溅射技术制造材料，据悉“溅射是一种广泛使用的技术，该技术主要是将材料薄膜沉积到基底上，从而实现对薄膜厚度和成分的精确控制”。研究人员在 272 ºC 以上的温度，退火形成碲化铌（NbTe4）结晶，这种材料具有约 447 ºC 的超低熔点，因此物理上相对稳定，适合制造相变存储器。

研究人员对该晶体进行了评估，据称与传统的相变存储器化合物相比，碲化铌（NbTe4）结晶的热稳定性较高，而结晶转换为液态的速度也相当快（约为 30 纳秒），凸显了其作为相变存储器的原材料的潜力。

东北大学材料科学高等研究所助理教授 Shuang 声称：“我们为开发高性能相变存储器开辟了新的可能性，NbTe4 具有低熔点、高结晶温度和优异的转换性能，是解决目前相变存储器所面临成本挑战的‘理想材料之一’。”

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