美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇关注闪存类别。

美光本次预告了其预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存，这家企业似乎跳过了 G10 世代。

G11 NAND 堆叠超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度是现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，同时能实现至高 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗则可减少 25% 以上。

在 G11 后，美光计划在 NAND 中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集的单元架构，强化节能属性。

美光介绍了 2 种 AI-class 数据中心级 NAND 设计，分别是基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品、类似 HBF 定义的带宽优化产品。

美光还展示了其全方位的 AI 优化存储解决方案，