俄罗斯政府宣布新半导体计划：2022 年底国产 90nm，2030 年实现 28nm

IT之家 4 月 16 日消息，据 tomshardware 报道，俄罗斯因与乌克兰的战争而受到世界大部分地区的排斥和制裁，因此俄罗斯正在制定计划以重振其陷入困境的国产半导体制造，因为它无法从通常的供应商那里获得芯片。该国的新芯片计划涉及未来八年的巨额投资，目标听起来并不雄心勃勃。例如，虽然台积电计划到 2026 年达到 2nm，但俄罗斯希望到 2030 年实现 28nm 国产芯片制造。

俄罗斯政府已经制定了新的微电子发展计划的初步版本，到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布（约 384.3 亿美元）。这笔资金将用于开发国产半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施开发、国产人才的聚集以及自制芯片和解决方案的营销。

在半导体制造方面，俄罗斯计划花费 4200 亿卢布（约 52 亿美元）用于新的制造技术及其提升。短期目标之一是在 2022 年底前使用 90nm 制造技术提高国产芯片产量。一个更长期的目标是到 2030 年建立使用 28nm 节点的制造，台积电在 2011 年做到了这一点。

俄罗斯在软件和高科技服务方面历来相当成功，但在芯片设计和制造方面相对不成功。虽然计划在国内培养国产人才和开发芯片，但该国计划在今年年底前做的一件事是建立一个“外国解决方案”的逆向工程计划，将其制造转移到俄罗斯。到 2024 年，所有数字产品都应在国内生产。该国无法在国内生产的东西预计将来自中国市场。

虽然俄罗斯的计划似乎包含很多项目并设定了一些目标，但应该注意的是，到目前为止，即使是中国也没有设法将相当一部分至关重要的芯片制造国产化。无法使用美国、英国或欧洲开发的技术的俄罗斯是否会在 2024 年或 2030 年之前实现其目标，目前还悬而未决。但这并不意味着没有实现的可能。

该计划预计将于 2022 年 4 月 22 日敲定并送交俄罗斯总理正式批准。

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