业内首创,天岳先进公布 8 英寸碳化硅衬底最新技术

2023-07-03 07:45IT之家 - 泽泷(实习)

IT之家 7 月 3 日消息,天岳先进携 8 英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相 Semicon China 展会,公开了最新进展。

IT之家注:上海半导体展 Semicon 是全球规模最大、最具影响力的半导体专业展,覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等产业。

公司 CTO 高超博士介绍,目前公司以 6 英寸导电型碳化硅衬底为主,上海临港工厂已经进入产品交付阶段,8 英寸产品也已经具备产业化能力。

高超博士

近日,天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的 8 英寸晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题,尚属业内首创。除了产品尺寸,在大尺寸单晶高效制备方面,采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破 60mm。

据了解,6 英寸碳化硅晶片仍是市场主流产品,8 英寸衬底正成为技术演化方向,Wolfspeed、ROHM、英飞凌等国际大厂已先后布局。8 英寸的面积较 6 英寸增加了约 78%,同等条件下从 8 英寸衬底切出的芯片数将提升近 90%,可将单位综合成本降低 50%。

天岳先进在今年 5 月与英飞凌签订一项新的晶圆和晶锭供应协议,供货碳化硅 6 英寸衬底、合作制备 8 英寸衬底。

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

文章价值:
人打分
有价值还可以无价值
置顶评论
    热门评论
      全部评论
      一大波评论正在路上
        取消发送
        软媒旗下人气应用

        如点击保存海报无效,请长按图片进行保存分享