台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存:功耗仅为类似技术百分之一

2024-01-18 10:51IT之家 - 故渊
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IT之家 1 月 18 日消息,台积电携手工业技术研究院(ITRI)在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展,成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM),搭载创新运算架构,功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的百分之一,成为台积电抢占 AI、高性能运算(HPC)市场的新“杀手锏”。

业内人士指出,伴随着 AI、5G 时代来临,自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等场景应用,都需要更快、更稳、功耗更低的新一代内存。

磁阻式随机存取内存(MRAM)是一种非易失性内存技术,采用硬盘中常见的精致磁性材料,能满足新一代内存需求,吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。

台积电目前已经成功开发出 22 纳米、16/12 纳米工艺的 MRAM 产品线,并手握大量内存、车用市场订单,而本次台积电乘胜追击,再次推出 SOT-MRAM,会进一步巩固其市场地位。

台积电表示新款 SOT-MRAM 内存搭载创新运算架构,功耗仅为 STT-MRAM 的 1%,相关研发成果领先国际,并在全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件会议(IEDM)上共同发表论文。

IT之家注:STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器 MRAM 的二代产品。STT-MRAM 存储单元的核心仍然是一个 MTJ,由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是通过自旋电流实现信息写入的。

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