内存变革将至，DRAM 后谁扛大旗？MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌

2024-02-22 14:19IT之家 - 故渊

IT之家 2 月 22 日消息，存储网络行业协会（SNIA）多位专家近日预估，21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存（PMEM）变革浪潮，相信新技术将取代 DRAM 等成熟的存储技术。

IT之家注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘 IO 作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。

SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 专家表示，以 SK 海力士和美光研制的铪铁电随机存取内存为例，其运行速度已经达到现代 DRAM 的水平，但目前无法确认哪种新兴内存技术成为最后的赢家，最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。

铁电随机存取内存的特点是快速写入周期，但它还有诸多强大的竞争者。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器技术都在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。

专家表示 MRAM 与其竞争对手相比具有很大的优势，在可以预见的未来，其读取速度可以媲美 DRAM。

自旋轨道力矩（spin-orbit torque）和电压调控磁各向异性磁随机存储器等新技术也正在缩短 MRAM 的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代 DRAM 的主要候选产品之一。

磁阻式随机存取内存，是一种非易失性内存技术，从 1990 年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术速度接近 SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，平均能耗远低于 DRAM，成为真正的通用型内存。

铁电随机存取内存，类似于 SDRAM，是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。

可变电阻式存储器，是一种新型的非易失性存储器，和另一种新型的磁阻式随机存取存储器一起属于新世代的存储器。

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