占总预算 10% ，SK 海力士将投 10 亿美元提高 HBM 封装能力

IT之家 3 月 7 日消息，SK 海力士为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位，2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。据第三方专家预测，SK 海力士今年的资本支出总额将达到 105 亿美元。

彭博社报道称，测试和封装能力在总支出预算占比 10%，表明 SK 海力士非常重要封装能力。IT之家从报道中获悉，这项业务由李康旭副社长领导，他曾在三星电子从事过类似的工作，其特长是结合不同的半导体材料和开发新的互连方法。

李康旭副社长认为半导体行业的前 50 年致力于硅加工相关组件的初始阶段，而后 50 年将致力于芯片封装技术。

李康旭副社长参与开发 HBM2E 内存芯片封装方法，SK 海力士也正是凭借着封装方面的优势，被英伟达选中成为主要 AI 芯片供应商。

作为一名三星工程师，李康旭副社长从 2002 年开始领导堆叠半导体元件层间互连技术的开发。这项技术后来为 HBM 内存芯片的诞生奠定了基础，最新一代的 HBM 内存芯片有 12 层，垂直连接。

2013 年，SK 海力士和 AMD 率先在量产产品中使用了 HBM，此后两年内没有任何竞争对手可以效仿，直到 2015 年底三星推出 HBM2。

SK 海力士目前正在与日本公司合作，开发更先进的 HBM 存储器芯片垂直互连技术。2 月底，三星宣布已完成 12 层 HBM3E 芯片的开发，单层堆栈可提供高达 36 GB 的内存。美光科技（Micron Technology）同时宣布推出 8 层 HBM3E 内存，单堆容量可达 24 GB。

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