SK 海力士加大环保投入，在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮

IT之家 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F₂）。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF₃）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（IT之家注：NF₃ 的 GWP 为 17200，而 F₂ 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。