TrendForce:三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

2024-10-30 18:15IT之家 - 溯波(实习)

IT之家 10 月 30 日消息,分析机构 TrendForce 集邦咨询表示,三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度限制、I/O 密度、散热等要求的考量下,已确定于 HBM5 20hi(IT之家注:即 20 层堆叠)世代使用混合键合 Hybrid Bonding 技术。

该机构认为,在 HBM4、HBM4e 两代产品上 SK 海力士、三星电子、美光三家企业均会推出 12hi、16hi 版本以满足对不同容量的需求,其中 12hi 产品将继续使用现有的微凸块键合技术,16hi 产品技术路线尚未确定

此外英伟达未来 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而非现有 2.5D 的形式集成

▲ 图源 TrendForce 集邦咨询

机构表示,无凸块的混合键合技术可容纳较多堆叠层数,也能容纳较厚的晶粒厚度,以改善翘曲问题,能提升芯片传输速度,散热表现也更为优异,但还需克服微粒控制等技术问题。

HBM4(e)16hi 产品上是否采用混合键合是一个两难问题:提前导入混合键合固然可及早经历新堆叠技术的学习曲线,确保 HBM5 20Hi 顺利量产,但也意味着额外的设备投资,此前在微凸块键合上积累的技术优势也将部分损失。

混合键合需以 WoW(晶圆对晶圆)模式堆叠,不仅对前端生产良率提出了更高要求,也意味着第一层(也是每一层)DRAM 芯片的尺寸需与底部 Base Die 相同

而 HBM 内存的 Base Die 正走向外部化、定制化,台积电等同时具备先进 Base Die 生产与 WoW 堆叠能力的企业有望更深程度参与 HBM 生产,从而改变 HBM + 先进封装链条的商业模式。

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