SK 海力士正研发 HBM3 高速内存：3D 层叠设计，带宽 665GB/s

IT之家 6 月 10 日消息 根据外媒 Tom's Hardware 消息，韩国芯片厂商 SK 海力士目前正在开发下一代 HBM3 高速内存，是 HBM2e 的升级版。这种芯片将应用于高性能计算机、AI 计算卡、专业图形显卡等产品上，进一步提高运算速度。

海力士表示，HBM3 内存芯片采用 3D 堆叠式设计，单颗芯片最大带宽 665GB/s，相比上一代提升达 44%。如果一颗处理器配备四颗 HBM3 芯片，则内存位宽可达 4096bit，总带宽 2.66TB/s。

IT之家了解到，现有的 AMD、英伟达计算加速卡配备 HBM2 或 HBM2e 显存，芯片封装在运算核心旁。这类加速卡用于数据中心、超级计算机，此前也有 AMD RX Vega 64 游戏显卡用到了 HBM 2 显存。

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