SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA，“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力
IT之家 12 月 29 日消息，据外媒 ChosunBiz 报道，SK 海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA（SK hynix NAND Development America）的子公司，并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经验”的专家，以期提高自家 NAND 竞争力。
据悉，SK HNA 公司位于美国加州圣何塞，由约 30 名研究人员组成，唯一目标是“专注于开发高性能 NAND 技术”。
外媒提到，SK 海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师 Richard Pasto，这名工程师拥有 28 年经验，此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作过，在半导体领域拥有包含 3D NAND 技术在内的数十项专利。
除了 Richard Pasto 外，SK 海力士还在今年 6 月招募了一位拥有 30 年经验的存储设计专家 Rezaul Haque，在今年 11 月招募了一位曾在英特尔 NAND 领域工作 13 年的工程师 Erika Shiple，目前上述三位人才已经成为 SK HNA 公司的“关键部门负责人”。
外媒同时声称，SK 海力士计划利用 SK HNA 子公司吸引更多 NAND 方面的人才，并能够与 SK 海力士旗下另一家从英特尔收购的子公司 Solidigm 产生协同效应，从而缩小与三星电子等对手之间的差距。
另据IT之家早前报道，SK 海力士计划在 2024 年启动 HBM4 研发，并推动 CXL 内存商业化量产工作，计划在 2024 年上半年完成 96GB 和 128GB 产品的客户认证，并在下半年实现商业化。
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