台积电 CoWoS 封装产能吃紧，芯片变大和 HBM 堆叠是两大挑战

IT之家 5 月 20 日消息，工商时报援引业内人士信息，由于 AI 芯片需求激增，硅中间层面积增加，导致 12 英寸晶圆可切出的数量减少，进一步加剧了 CoWoS 封装的供不应求情况。

芯片变大

集邦咨询预估英伟达推出的 B 系列（包括 GB200、B100、B200），将消耗更多的 CoWoS 封装产能。

IT之家此前报道，台积电增加了 2024 年全年的 CoWoS 产能需求，预计到年底月产能将接近 4 万片，相比 2023 年的总产能增长超过 150%。2025 年的总产能有可能增长近一倍。

不过英伟达发布的 B100 和 B200 芯片，中间层面积（interposer area）将比以前更大，意味着 12 英寸晶圆切割出来的芯片数量减少，导致 CoWoS 的产能无法满足 GPU 需求。

HBM

业内人士表示 HBM 也是一大难题，采用 EUV 层数开始逐步增加，以 HBM 市占率第一的 SK 海力士为例，该公司于 1α 生产时应用单层 EUV，今年开始转向 1β，并有可能将 EUV 应用提升 3～4 倍。

除技术难度提升外，随着 HBM 历次迭代，HBM 中的 DRAM 数量也同步提升，堆叠于 HBM2 中的 DRAM 数量为 4～8 个，HBM3／3E 则增加到 8～12 个，HBM4 中堆叠的 DRAM 数量将增加到 16 个。

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