有望改变 AI 半导体规则,消息称三星电子年内将推出 HBM 三维封装技术 SAINT-D

2024-06-18 09:28IT之家 - 溯波(实习)

IT之家 6 月 18 日消息,据韩媒《韩国经济日报》报道,三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。

报道同时指出,在今年发布后,三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINTIT之家注:即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写-D 技术。

SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术,旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片,缩短两者距离

▲ 三星电子 SAINT 先进封装技术家族

三星电子近期在三星代工论坛 2024 北美场上表示,其 SAINT-D 技术目前正处于概念验证阶段

▲ 三星 AI 解决方案,中即 SAINT-D 技术

韩媒表示,SAINT-D 技术有望改变 AI 半导体领域的游戏规则

HBM 内存与处理器之间目前采用 2.5D 封装,两者水平放置,由硅中介层连接。这不仅引入了更大传输延迟,同时还影响了电信号质量、提升了数据移动功耗。

SAINT-D 技术将处理器和 HBM 内存的间距降到更低,有利于 AI 加速器芯片进一步释放性能潜力。

对于三星电子整体而言,由于可提供从先进节点代工、HBM 内存生产到整体封装集成的全流程“交钥匙”服务,SAINT-D 的应用也可带动其目前处于劣势的 HBM 和代工业务发展

根据市场研究机构 MGI 的数据,SAINT-D 等先进封装市场的规模将从 2023 年的 345 亿美元成长至 800 亿美元。

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

文章价值:
人打分
有价值还可以无价值
置顶评论
    热门评论
      文章发布时间太久,仅显示热门评论
      全部评论
      一大波评论正在路上
        取消发送
        软媒旗下人气应用

        如点击保存海报无效,请长按图片进行保存分享