SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

IT之家 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级（1c nm）DDR5 DRAM 内存的同时，也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。

SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示：

1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。

今后公司也将坚守 DRAM 市场的领导力，巩固最受客户信赖的 AI 用存储器解决方案企业的地位。

IT之家注意到，金锺焕在发言中为采用 1c nm 制程的 LPDDR 与 GDDR 指定了产品世代，但并未在 HBM 产品上提到具体世代。

根据此前报道，SK 海力士的 HBM4E 内存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士内部也曾有在 HBM4 产品中就导入 1c nm DRAM 的声音。

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