为应对内存良率、性能困局：消息称三星从头设计新版 1b nm DRAM

IT之家 1 月 21 日消息，韩媒 ETNews 今日报道称，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写），专注改进能效和散热表现，这与三星此前的第六代 V-NAND 改进版制程 V6P 采用了相同的命名逻辑。

三星在 2022 年 12 月、2023 年 5 月先后宣布其 12nm 级 DDR5 DRAM 完成开发与批量生产，但此代工艺并未在 LPDDR5x 等关键领域取得成功，三星 DS 部门甚至因此丢掉了 MX 部门 Galaxy S25 系列手机初期内存一供的地位。

此外，现有 12nm 级 DRAM 工艺在作出启动 D1B-P 项目的决定时良率仅有 60% 左右，远低于业界大规模量产所需的 80%~90%。

报道指出三星电子在 2024 年底为 D1B-P 项目紧急订购了必需设备，该制程预计将于 2025 年内量产，最早的推出时间则是今年 2~3 季度。

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