消息称 SK 海力士 2026 年全力扩充非 HBM 通用 DRAM 内存产能，充分利用现有资源

IT之家 12 月 1 日消息，韩媒《朝鲜日报》11 月 28 日报道称，SK 海力士明年除积极扩产 HBM 内存外也将全力扩充 HBM 以外的通用 DRAM 内存的产能，为此计划充分利用手头的晶圆厂空间。

SK 海力士的 HBM DRAM 新增产能主要集中在本季度竣工投产的清州 M15X 晶圆厂上，而通用 DRAM 内存的新产能则将来自现有晶圆厂，包括清州 M8、利川 M10、利川 M14、利川 M16。

IT之家从报道了解到，这四座晶圆厂中清州 M8、利川 M10 属于相对老旧的厂区，将最大限度地利用其空间；SK 海力士计划对利川 M14 厂区进行制程升级改造，并启用利川 M16 的剩余部分。

韩媒预计，SK 海力士的通用 DRAM 产能将在 2026 年扩大至每月 7 万片晶圆，但也有消息称实际上有望通过进一步扩产提前达到月投片量 10 万的 2027 年目标。

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