备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺

2026-09-07 10:56 IT之家 - 溯波（实习）

IT之家 9 月 7 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今日报道称，SK 海力士的第 6 代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 有望在 2027 年初超越 1b nm 成为该企业的第一大内存制程。

从 2026Q1 到 2027Q1 ，SK 海力士 1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比逐季度分别为 10%、13%、24%、34%、35%；而到 2027 年初其 1b nm 产能占比将来到 33%，形成交叉。业内预计三星电子与美光的第 6 代 10nm 级 DRAM 产能占比在 2026Q2 末分别为 16% 和 19%。

SK 海力士在 HBM4 内存中仍然使用了 1b nm DRAM Die，而其 HBM4E 将升级到 1c nm DRAM Die。提前建立充足的 1c nm 产能有助于 HBM 市场从 HBM4 升级至 HBM4E 时的平滑过渡。