据韩国媒体 Businesskorea 报道，三星在芯片先进制程方面赶超台积电的难度可能增大。台积电已计划明年开始生产 2nm 芯片，而三星目前的规划是明年大规模量产 3nm GAA 芯片，其 2nm 芯片生产计划尚未提上日程。
三星虽然已经开发出了 2nm 芯片，但尚未敲定投资计划。三星曾透露：“我们计划明年制造 3nm GAA 产品，并在 2023 年制造更先进的 3nm GAA 产品。”
今年 5 月，该公司曾宣布将投资 170 亿美元（约 1098 亿人民币）在美国建造能生产 3nm 的芯片代工厂，但目前三星还在考虑其工厂的具体选址。
对比来看，中国台湾环境影响评估审查委员会在本周三批准了台积电 2nm 芯片新厂建设。该新厂预计占地 50 英亩（约 20 公顷），将建在新竹工业园区，计划在 2024 年实现商业化量产。除了在本地建新厂，台积电也在考虑明年在美国亚利桑那州建设芯片厂，来生产 3nm 和 4nm 芯片。
一位业内人士称：“台积电在 5nm 和 7nm 芯片工艺技术商业化方面已经超过了三星，随着台积电生产更多先进制程芯片和提高资本支出，这一差距正在扩大。台积电还在台湾建设测试生产设施，以确保一定水平的 2nm 良率。”
英特尔在本周二宣布将分别在 2024 年和 2025 年达到 Intel 20A 和 Intel 18A 节点。该公司在 3 月曾宣布重新进入全球芯片代工市场，其精密加工工艺技术当前在 7nm 阶段。
韩媒 Businesskorea 认为，三星正陷入夹在台积电和英特尔之间的两难困境。
作为芯片代工厂的龙头，台积电和三星一直在持续竞争，从 2019 年、2020 年先后快速采用 EUV 光刻技术来突破 7nm 工艺，在 2020 年均实现量产 5nm 芯片，然后都开始计划量产 3nm 芯片。
为了保持其市场优势和市场占有率，芯片代工厂一边忙着扩增成熟制程工艺的产能，一边忙着推动先进制程工艺升级和投产，竞争激烈。
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