IT之家 1 月 31 日消息，盛美半导体设备（上海）股份有限公司 (简称盛美上海)，一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的供应商，推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列。
盛美半导体设备公司的 150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产品、后道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支持化合物半导体领域的应用，包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺。化合物半导体湿法工艺产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备，并自动兼容平边或缺口晶圆。
Ultra C 碳化硅清洗设备
盛美上海的 Ultra C 碳化硅清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化，并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的清洗。该设备还集成盛美上海的 SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深层次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗设备可提供行业领先的清洁度，达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms / cm3水平。该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。
Ultra C 湿法刻蚀设备
可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。
Ultra ECP GIII 1309 设备
盛美上海的 Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内小于 3% 的均匀度和小于 2% 的重复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。
Ultra ECP GIII 1108 设备
Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后清洗腔。设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3% 的均匀度和＜ 2% 的重复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可避免金电镀液的氧化，且工艺槽体具有氮气吹扫功能，可减少氧化。该设备已于去年年底交货给关键客户。
Ultra C ct 涂胶设备
盛美上海的 Ultra C ct 涂胶设备采用二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有行业领先的优势，包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模块以及每个腔体的独立过程控制功能。
Ultra C dv 显影设备
在化合物半导体工艺中，盛美上海的 Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用盛美上海的先进技术，可按要求实现 +/-0.03 LPM 的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。
Ultra C s 刷洗设备
Ultra C s 刷洗设备以盛美上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可兼容盛美上海专有的兆声波清洗技术，以确保优良的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。
Ultra C pr 湿法去胶设备
盛美上海的 Ultra C pr 湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了盛美上海的技术优势。
Ultra SFP 无应力抛光设备
Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，盛美上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用专有的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩余铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，相同的工艺可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用于 RDL 中铜覆盖层并平坦化 。
盛美上海从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和热处理设备的研发、生产和销售，并致力于向半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。
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